·差别使用规模NorFlash涨幅瓦解：2026年Q1NorFlash团体合约价值均匀涨幅15%-20%，但差别使用规模瓦解明显：a.AI合系规模，AI任事器/通用任事器大模子用NorFlash涨幅10%支配，端侧AI（AI耳机、眼镜、玩具等）中大容量消费类涨幅5%-10%；b.车规/工业规模，车规产物涨幅超50%，工业/医疗产物涨幅30%-40%。2025年下半年NorFlash团体均匀涨幅超40%，但车规/工业产物因海外大厂（美光、英飞凌等）重心正在AI合系存储，昨年下半年未涨价，导致台湾厂商（如旺宏）Q3、Q4赔钱。2026年Q1海外大厂带动补涨车规/工业产物，驱动该规模涨幅明显。终年涨幅节拍方面，Q2涨幅超20%（终年最高），下半年因台湾及大陆厂商扩产产能开释，涨幅将收敛。

　　·小容量NorFlash涨价及竞赛境况：小容量（128M以下）NorFlash为Q1涨幅瓦解最首要的板块，涨幅50%-70%。因由正在于头部厂商（华邦电、旺宏、兆易革新）计谋性退出该商场，中小厂商（普冉、恒硕、聚辰）用SOI等新工艺吞没本钱上风。头部厂商选取“躺平式”跟价计谋，报高价劝退客户。商场界限方面，2025年环球小容量商场界限4.2亿美金，2026年估计超5亿美金，中小厂商主导商场后涨价堂堂皇皇。2026年小容量终年涨幅或达150%，虽涨幅大但毛利率仍低（2025岁暮约30%），因头部厂商2025年上半年清货导致价值难起，中小厂商2026年急于回血。

　　·AI任事器NorFlash供应商格式：AI任事器中NorFlash要紧供应商为头部三家厂商，个中华邦占贴近80%份额，旺宏占15%，邦内龙头占5%支配。海外AI终端客户如NVIDIA曾给邦内龙头测试时机，正在H100 PCIE版本非要害部位测试个中小容量产物，但H200高温测试中仅台湾厂商产物过合，邦内龙头个别产物与台湾厂商存正在必然分歧，以是正在AI任事器规模占比靠后。2025年，英伟达因需求延长速、忧愁台湾厂商供货缺乏，再次为邦内龙头翻开验证大门，最速Q2正在H200等产物上有结果。

　　·AI任事器NorFlash代价量转变：AI任事器中NorFlash代价量随NVIDIA架构升级明显延长：a.H100八卡AI任事器以2024年价值阴谋代价量为55美金；b.GH200（ML32机柜形状）以2025年上半年价值阴谋贴近300美金；c.Blackwell架构GB200以2025年下半年价值阴谋超600美金；d.2025年下半年量产的Ruby架构底子版本超900美金。代价量延长焦点驱动为AI任事器升级，AMD等北美厂商对价值不正在意，更合怀供货及品格太平性，撑持2024年Q3-Q4相联涨价，毛利率均匀超50%，1-2GB产物毛利超70%。虽然NorFlash代价量对照AI任事器总价可疏忽，但客户对价值不敏锐，毛利率展现非常。

　　·华邦与旺宏产能及扩产策动：华邦2025岁暮12寸月产能为2万片，旺宏以12寸晷谋月产能亦为2万片（个中12寸1万片，2.25万片8寸产能折合成12寸1万片），二者均为IDM形式。2026年，华邦扩产0.3-0.5万片，月产能将达2.3-2.5万片；旺宏扩产0.2-0.3万片，月产能将达2.2-2.3万（更众及时纪要加微信：aileesir）片。华邦产能来自台中厂老厂挪出的产能用于临盆Flash，旺宏来自12分厂升高稼动率或挪产能，均非新修临盆线电子零件，以是扩产节拍较速。

　　·兆易革新产能限度及计谋：兆易革新2025岁暮12寸月产能为1.6万片，采用Fabless形式。2026年策动将产能扩至2万片（扩0.4万片），但受代工场涨价影响：中芯邦际、华虹等2026年上半年涨价30%，且仅肯讲半年价值，下半年或络续涨价。以是其扩产较为隆重，忧愁影响毛利率，估计2026年实质月产能仅能到达1.7-1.8万片。

　　·华邦电老厂产能调剂：华邦电台中老厂为旧厂，已告终折旧，原产能构造包罗NOR Flash 2万片、SLC NAND Flash 1.2万片及利基型DRAM 2.5万片。个中利基型DRAM制程为25/22纳米，仅能临盆DDR3、DDR4小容量（2G、4G DDRB）产物，临盆8G以上DDR4大容量产物本钱极高；2024年Q4该个别DRAM稼动率55%，1万片产能正在2025年络续空白。因2025年下半年Flash价值大幅上涨，公司肯定2026年将1万片空白产能从利基型DRAM挪至NOR Flash与SLC NAND Flash。老厂未升级制程的考量正在于，升级需非常加入本钱，且高雄新厂已具备产能，足以遮盖DDR3、DDR4小容量产物需求，无需依赖老厂升级。

　　·NorFlash库存水准：NorFlash库存境况为，台湾厂商与大陆厂商的原厂库存处于4~8周之间，渠道库存正在4~6周之间，客户端库存赶过8周；库存上升是因人工把握出货节拍，收敛给之前Q3、Q4大界限备货的终端客户消化库存，目前比9月底10月初的库存稍微有少少上升，但上升幅度不大，仍正在强壮界限之内。

　　·SLC NAND及利基型DRAM库存：SLC NAND需求相联三个季度环比赶过10%，库存络续较低，无论台湾厂商与大陆厂商如何补库存，都不绝徬徨正在3~4周支配，月环比消浸，渠道库存也鄙人降，客户端库存仅2~4周，要紧因海外凯塞与美光接续减产SLC NAND产能，导致台湾与大陆厂商对客户需求承压；利基型DRAM的蚁集型订单从之前高位有少少回落，原厂11月份与12月份相联两个月吸取存货，库存络续消浸，渠道库存也鄙人降；渠道上除NorFlash库存上升外，SLC NAND与利基型DRAM库存均鄙人降，个中SLC NAND库存最紧，需求及临盆构造较危险。

　　·3D DRAM商场竞赛境况：大陆定制化3D DRAM商场中，兆易革新一家独大，占90%以上份额，其产物使用于汽车、机械人、人形机械人、手机等规模，有赶过50个专案。华邦电正在云南的项目8月底被非官方警卫后，主动退出大陆3D DRAM商场，因由是低估了大陆商场繁杂度，时间扶助和研发配合赶不上兆易革新；目前大陆主动大界限导入已放弃，仅配合甘愿用的终端客户。

　　·海外厂商对3D DRAM立场及商场界限：3D DRAM是利基化产物，三星、海力士、美光、长江存储未进入该赛道的境况下，永世是边角料，无法取代2D产物德为主力。商场界限方面，2025年兆易革新3D DRAM收入撑死1.5亿美金（10亿黎民币），2024年粗略20亿黎民币；全部中邦大陆定制化3D DRAM商场界限约50亿到60亿黎民币。

　　·利基型DRAM产能扩张策动：华邦电利基型DRAM产能策划鲜明，2025年台中厂1.5万片+高雄新厂1.5万片，合计3万片；2026年台中厂保存1.5万片，高雄新厂从1.5万片扩至2.5万片，总产能达4万片。高雄新厂打算产能为4.5~5.5万片，2026年2.5万片仅达打算产能一半，后续仍有扩张空间。三星、海力士、美光此前揭橥停产的是大宗品DDR4，而非利基型DRAM；利基型DDR4是利基型DRAM的绝对主力产物，这些厂商仅络续减产利基型DDR4产能：昨年上半年其利基型DDR4产能占比超50%，岁暮降至40%以内，本年进一步掉到30%。

　　·利基型DRAM价值上涨驱动：利基型DRAM价值自昨年下半年起络续上涨，焦点驱启航分是三星、海力士、美光等厂商减产利基型DDR4产能，且减产速率远速于华邦电、南亚科、兆易革新等台湾及大陆厂商的扩产速率，产能缺口络续存正在。AI合系使用对利基型DRAM的需求撑持，进一步加强了价值上涨的可络续性。

　　·2024Q4及2025Q1价值涨幅：2024年第四序度，利基型DRAM价值大幅上涨，DDR4 4G比特以下合约价值整季涨幅超40%；利基型DDR8G加比特每个月涨幅超20%，整季涨幅超60%。2025年第一季度，涨幅络续，DDR4 4G加比特以下容量涨幅超40%；利基型DDR4 8G加比特以上涨幅超50%。从2024年下半年来看，第三季度和第四序度利基型DRAM价值已翻倍；2025年上半年估计仍有50%的涨幅。容量段方面，大容量产物涨幅更明显，如2024Q4 8G加比特以上涨幅超60%，2025Q1 8G加比特以上涨幅超50%，均高于同季度小容量产物。涨价焦点驱动源于原厂计谋调剂：三星、海力士等原厂从2024年下半年着手减产停产8G比特以下容量的利基型DRAM产物，会合变化至1C制程的8G比特以上产物；其要点临盆1Z纳米（10纳米第三代）制程的8G以上容量产物，该制程下大容量产物具备性价比。台湾及大陆厂商中，华邦2025年第一季器量产16纳米（10纳米第二代），兆易革新有第四代16纳米，但16纳米制程临盆8G以上产物不划算，需升级至1Z纳米，故短时刻内台湾和大陆厂商要紧会合正在利基型DDR4的小容量产物。

　　A: 台湾Norflash厂商计谋性放弃中小容量的因由囊括：工艺上，其古板浮栅工艺已成熟，不肯加入本钱转向中小容量所需的Solar工艺；行业趋向上，中小容量对应的LoRaWAN商场界限小，而NorFlash行业主力需求正在大容量，AI任事器、端侧AI、通用任事器、工业医疗、车规等生长型使用均需大容量产物；赢余层面，大容量产物毛利率更高，终端客户更尊重品格和交货太平性，小厂商难切入；以是，厂商计谋改动为将更众产能和元气心灵加入大容量规模，避开中小容量竞赛，聚焦高毛利的AI合系及生长型使用商场。

　　A: AI任事器Nor Flash头部三家厂商份额为华邦近80%、万红15%、邦内龙头5%。此前NVIDIA正在H100 PCIE版本测试过第三家中小容量产物，但H200大容量高温测试仅台湾厂商过合，2025年因需求延长速，NVIDIA给第三家H200验证时机，最速Q2出结果。2024年H100八卡AI任事器Nor Flash代价量约55美金；2025年上半年GH200约300美金，下半年GB200超600美金；2025年下半年Ruby架构底子版本超900美金。AI任事器终端客户对Nor Flash价值不敏锐，订正在意供货及品格太平性，以是大容量产物毛利率高。头部三家2025年对Nor Flash库存有底气，若AI需求络续，2026-2027年Nor Flash价值不会下跌，仅涨幅收敛。

　　A: 2025岁暮，华邦电12寸月产能2万片；万虹以12寸折算月产能2万片；兆易创月牙产能1.6万片。2026年三家均扩产：华邦电策动扩0.3-0.5万片至2.3-2.5万片，万虹策动扩0.2-0.3万片至2.2-2.3万片，兆易革新策动从1.6万片扩至2万片但估计仅能到1.7-1.8万片。落地时刻方面，华邦电3月先扩0.1万片，更众产能Q2完成后开释；万虹3月扩至2.1万片，更众产能Q2后落地；兆易革新Q1已扩至1.7-1.8万片。扩产节拍较速因华邦电来自老厂产能变化、万虹提拔稼动率，兆易革新为Fabless形式投配速但因价值消浸影响毛利率而隆重。

　　A: 华邦扩产NOR Flash移用的是台中老厂的LDDR产能。台中厂制程会合正在25/22纳米，仅能高效临盆DDR3、DDR4小容量产物，若临盆8G以上大容量DDR4经济性差，导致2.5万片LDDR产能中有1万片永久空白。2024下半年Flash价值大幅上涨，毛利率高于LDDR，以是2026年将该空白产能挪至NOR Flash与SLC NAND规模。从筹备角度看，老厂升级制程需非常加入，而高新新厂已能知足小容量DDR需求，故不升级老厂；老厂产能由LDDR与Flash部分内部竞赛，优先分拨给现在毛利率高、前景好的产物。

　　A: 华邦电高新新厂要紧临盆20纳米制程的蚁集型DDR4产物；本年Q1 1月仍正在试产，将量产定型的DDR4 8GB及LOPPO A DDR4八加八等于一产物。其余，新厂策划临盆16纳米制程的DDR3，华邦电将络续构造DDR3——目前环球仅南亚科、华邦及利基店可大界限供货DDR3，韩厂2024岁暮已停产DDR3，美光仅保存车规及工业小个别产能，兆易革新2025岁暮也已停产DDR3，新厂临盆DDR3具备本钱上风。新厂主力产物为DDR4 8GB及以上容量产物。

　　A: 目前库存团体略有上升，但因由差别。Norflash方面，台湾与大陆厂商库存为4-8周，渠道库存为4-6周，库存上升系人工把握出货节拍，以给前三季度大界限备货的终端客户时刻泯灭库存；SLC库存络续低位，徬徨正在3-4周，月环比消浸，要紧因需求相联三个季度环比延长超10%，且海外凯塞与美光络续减产SLC NAND Flash产能，导致台湾与大陆厂商临盆才力承压，客户需求繁荣；NAND Flash与界说性DRAM库存上升亦属人工把握。客户端方面，Nor Flash库存超8周，利基型产物库存已呈向14周延长的趋向，且客户端仍正在前置需求、备货；SLC客户端库存为2-4周，需求及临盆构造均较为危险。此前11-12月，台湾与大陆厂商相联两个月吸取存货，目前库存上升幅度不大，仍处于强壮界限。

　　A: 华邦定制化存储过去及现在行使20纳米制程，用于DDR4 4GB产物及定制化Cube 8GB产物；后续新厂迭代策动升级至16纳米制程，本年将量产，用于DDR4 8GB及以上产物，其16纳米制程与兆易革新水准持平。其余，华邦正在大陆云南商场因昨年8月底收到老美非官方警卫已主动退出，现在大陆定制化存储交易处于中止形态，元气心灵会合于海外商场。大陆定制化存储商场中兆易革新一家独大，吞没90%以上份额，要紧因时间扶助实时、研发配合度高，且客户合怀产能，兆易革新具备产能上风。3D定制化存储方面，2025年兆易革新3D DRAM无收入，本年估计约1.5亿美金，2024年约20亿黎民币；大陆商场界限约50-60亿黎民币，该产物属利基型存储产物，若三星、海力士、美光或长江存储等未进入赛道，难以取代2D产物成为主流使用。

　　A: 三星、海力士、美光等厂商仍以2D产物为主，对3D或挪动端定制化存储产物不屑一顾，未构造合系策划。手机、PC、AI PC、机械人、汽车等终端使用规模仍以2D产物为主，如小米、H公司及即将宣布的LOPPO T+R6均采用2D产物。3D定制化产物正在low power DDR5初代版本或low power DDR4上的带宽优于2D产物，但研举事度、定制化需求及与NPU的适配抵消了机能上风，且价值需贴近2D产物才会被终端客户商量。三星等大厂的定制化聚焦HBM或特制化HBM，以为3D定制化存储产物属于利基化产物，正在手机等主力使用规模不会形成恫吓，且若其下场构造会变成内部竞赛，以是不会促进合系低端产物。

　　A: 华邦2025年利基型DRAM产能为台中厂1.5万片+高雄新厂1.5万片，合计3万片；2026年台中厂维持1.5万片，高雄新厂扩至2.5万片，总产能增至4万片。高雄新厂打算满载产能4.5~5.5万片，后续仍将络续扩张。三星、海力士、美光策动停产的是大宗品DDR4，非利基型DRAM，利基型DDR4为利基型DRAM绝对主力产物，原厂仅络续减产利基型DDR4产能——昨年上半年其占利基型DRAM产能50%以上，岁暮降至40%以内，本年或跌至30%。因原厂减产速率远速于华邦电、南亚科、兆易革新等厂商扩产节拍，利基型DRAM产能缺口络续存正在，促进其自昨年下半年起涨价。

　　A: 三星、美光、海力士等原厂并非未停产立刻型DDR4 4GB，而是4GB、8GB等小容量产物并非其焦点交易（更众及时纪要加微信：aileesir）目标，原厂仅保存1Z纳米制程的产物，该制程临盆8GB及以上大容量产物更具性价比。从昨年下半年着手，原厂络续减产、停产8GB及以下容量的立刻型DDR4产物，资源会合转向1C制程的8GB及以上产物。而台湾及大陆厂商的16纳米制程产物量产时刻晚，且用16纳米临盆8GB及以上产物性价比低，短时刻内难以弥补原厂小容量产物减产带来的需要缺口，促进DDR4 4GB等小容量产物涨价。

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